ГЛИБОКІ РІВНІ В P-N-СТРУКТУРАХ
No Thumbnail Available
Date
2019
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
ОНАЗ імені О. С. Попова
Abstract
Досліджувались глибокі рівні в p-n-структурах на основі твердого розчину GaAsP. Знайдено, що розкид ефективності досліджуваних світлодіодів (СВД) обумовлений різноманітністю складу GaAsP в активній області. Визначено, що ефективність роботи СВД пов’язана з глибокими рівнями, обумовленими різного виду дефектами. Знайдені енергії іонізації ряду глибоких рівнів у збідненому шарі p-n-переходів. Їх існування може привести до збільшення послідовного опору СВД, що в свою чергу призведе до додаткового його розігріву та зниження к.к.д.
Description
Ірха В. І., Марколенко П. Ю., Овдій А. В. Глибокі рівні в р-n-структурах // 74-а науково-технічна конференція професорсько-викладацького складу,
науковців, аспірантів та студентів (Одеса, 12-14 грудня 2019 р.). Одеса, 2019. Ч.1. С. 12-13
Keywords
діоди, світлодіоди, p-n-структури, diodes, light-emitting diodes, p-n structures, GaAsP