ГЛИБОКІ РІВНІ В P-N-СТРУКТУРАХ
| dc.contributor.author | Ірха В. І. | |
| dc.contributor.author | Irkha V. | |
| dc.contributor.author | Марколенко П. Ю. | |
| dc.contributor.author | Markolenko P. | |
| dc.contributor.author | Овдій А. В. | |
| dc.contributor.author | Ovdii A. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-12T12:23:54Z | |
| dc.date.available | 2025-05-12T12:23:54Z | |
| dc.date.issued | 2019 | |
| dc.description | Ірха В. І., Марколенко П. Ю., Овдій А. В. Глибокі рівні в р-n-структурах // 74-а науково-технічна конференція професорсько-викладацького складу, науковців, аспірантів та студентів (Одеса, 12-14 грудня 2019 р.). Одеса, 2019. Ч.1. С. 12-13 | |
| dc.description.abstract | Досліджувались глибокі рівні в p-n-структурах на основі твердого розчину GaAsP. Знайдено, що розкид ефективності досліджуваних світлодіодів (СВД) обумовлений різноманітністю складу GaAsP в активній області. Визначено, що ефективність роботи СВД пов’язана з глибокими рівнями, обумовленими різного виду дефектами. Знайдені енергії іонізації ряду глибоких рівнів у збідненому шарі p-n-переходів. Їх існування може привести до збільшення послідовного опору СВД, що в свою чергу призведе до додаткового його розігріву та зниження к.к.д. | |
| dc.identifier.uri | http://193.186.15.27:4000/handle/123456789/849 | |
| dc.language.iso | other | |
| dc.publisher | ОНАЗ імені О. С. Попова | |
| dc.subject | діоди | |
| dc.subject | світлодіоди | |
| dc.subject | p-n-структури | |
| dc.subject | diodes | |
| dc.subject | light-emitting diodes | |
| dc.subject | p-n structures | |
| dc.subject | GaAsP | |
| dc.title | ГЛИБОКІ РІВНІ В P-N-СТРУКТУРАХ | |
| dc.title.alternative | DEEP LEVELS IN P-N STRUCTURES | |
| dc.type | Article |