Repository logo
  • English
  • Català
  • Čeština
  • Deutsch
  • Español
  • Français
  • Gàidhlig
  • Italiano
  • Latviešu
  • Magyar
  • Nederlands
  • Polski
  • Português
  • Português do Brasil
  • Srpski (lat)
  • Suomi
  • Svenska
  • Türkçe
  • Tiếng Việt
  • Қазақ
  • বাংলা
  • हिंदी
  • Ελληνικά
  • Српски
  • Yкраї́нська
  • Log In
    Have you forgotten your password?
Repository logo
  • Communities & Collections
  • All of DSpace
  • English
  • Català
  • Čeština
  • Deutsch
  • Español
  • Français
  • Gàidhlig
  • Italiano
  • Latviešu
  • Magyar
  • Nederlands
  • Polski
  • Português
  • Português do Brasil
  • Srpski (lat)
  • Suomi
  • Svenska
  • Türkçe
  • Tiếng Việt
  • Қазақ
  • বাংলা
  • हिंदी
  • Ελληνικά
  • Српски
  • Yкраї́нська
  • Log In
    Have you forgotten your password?
  1. Home
  2. Browse by Author

Browsing by Author "Irkha V."

Now showing 1 - 6 of 6
Results Per Page
Sort Options
  • No Thumbnail Available
    Item
    ГЛИБОКІ РІВНІ В P-N-СТРУКТУРАХ
    (ОНАЗ імені О. С. Попова, 2019) Ірха В. І.; Irkha V.; Марколенко П. Ю.; Markolenko P.; Овдій А. В.; Ovdii A.
    Досліджувались глибокі рівні в p-n-структурах на основі твердого розчину GaAsP. Знайдено, що розкид ефективності досліджуваних світлодіодів (СВД) обумовлений різноманітністю складу GaAsP в активній області. Визначено, що ефективність роботи СВД пов’язана з глибокими рівнями, обумовленими різного виду дефектами. Знайдені енергії іонізації ряду глибоких рівнів у збідненому шарі p-n-переходів. Їх існування може привести до збільшення послідовного опору СВД, що в свою чергу призведе до додаткового його розігріву та зниження к.к.д.
  • No Thumbnail Available
    Item
    ДОСЛІДЖЕННЯ ГЛИБОКИХ РІВНІВ В P-N-СТРУКТУРАХ МЕТОДОМ ТЕРМОСТИМУЛЬОВАНИХ СТРУМІВ
    (ОНАЗ імені О. С. Попова, 2020) Ірха В. І.; Irkha V.; Марколенко Т. Д.; Markolenko T.
    Досліджувалось існування глибоких рівнів в p-n-структурах методом термостимульованих струмів. Описується методика їх отримування. Показується, що ефективність електролюмінісценції пов’язана із існуванням таких рівнів.
  • No Thumbnail Available
    Item
    ДОСЛІДЖЕННЯ ДОМІШКОВИХ ЦЕНТРІВ У СВІТЛОДІОДАХ МЕТОДОМ ТЕРМОСТИМУЛЬОВАНИХ СТРУМІВ
    (ОНАЗ імені О. С. Попова, 2020) Ірха В. І.; Irkha V.; Юр'єва О. В.; Yurieva O.
    Досліджувались домішкові центри у світлодіодах (СВД) на основі GaAlAs для волоконно-оптичних ліній зв’язку методом термостимульованих струмів (ТСС). Вияснялись причини їх деградації. Знайдемо зв’язок в процесі деградації СВД із ростом концентрації домішкових центрів. З допомогою кривих ТСС визначено їх концентрації до та після деградації СВД. Показано вплив домішкових центрів на ефективність електролюмінісценції СВД.
  • No Thumbnail Available
    Item
    МЕТОДИ ЗБІЛЬШЕННЯ ШВИДКОСТІ ПЕРЕДАЧІ ІНФОРМАЦІЇ В ОПТИЧНОМУ ВОЛОКНІ
    (ОНАЗ імені О. С. Попова, 2019) Ірха В. І.; Irkha V.; Слободянюк І. А.; Slobodianiuk А.; Марколенко Т. Д.; Markolenko T.
    Розглядається вплив різних видів дисперсії на швидкість передачі та об’єм інформації по оптичному волокну. Показується вплив дисперсії на деградацію чутливості приймача. Досліджується поляризаційна модова дисперсія, як один із обмежуючих факторів при передаванні інформації з великою швидкістю. Показані можливості її компенсації.
  • No Thumbnail Available
    Item
    ОЦІНКИ ПАРАМЕТРІВ ПОШКОДЖЕНЬ В ПРОВІДНИКОВИХ ЛІНІЯХ
    (Державний університет інтелектуальних технологій і зв'язку ; Крок, 2021) Ірха В. І.; Irkha V.; Слободянюк І. А.; Slobodianiuk I.
    Розглядається питання контролю стану в провідникових лініях різними методами при різноманітних їх пошкодженнях. Показані різноманітні типи пошкоджень та способи їх знаходження. Проводиться оцінка відомих методів контролю та захисту інформації. The question of control of a condition in conducting lines by various methods at their various damages is considered. Various types of damages and ways of their finding are shown. The assessment of known methods of control and protection of information is carried out.
  • No Thumbnail Available
    Item
    ФАКТОРИ, ЩО ВИЗНАЧАЮТЬ ЕФЕКТИВНІСТЬ СВІТЛОВИПРОМІНЮЮЧИХ ДІОДІВ
    (ОНАЗ імені О. С. Попова, 2019) Ірха В. І.; Irkha V.; Марколенко П. Ю.; Markolenko P.
    Досліджувались фактори, що визначають ефективність світловипромінюючих діодів. Показано, що вона визначається співвідношенням між інтенсивностями випромінювальної та безвипромінювальної рекомбінації носіїв заряду, яка залежить від зонної структури напівпровідника та концентрації різноманітних домішок у них. Вивчається роль глибоких рівнів в ефективності електролюмінесценції.

DSpace software copyright © 2002-2025 LYRASIS

  • Cookie settings
  • Privacy policy
  • End User Agreement
  • Send Feedback