Кафедра фізико-математичних наук

Permanent URI for this community

http://193.186.15.27:4000/handle/123456789/546

Browse

Browsing Кафедра фізико-математичних наук by Author "Markolenko P."

Now showing 1 - 2 of 2
  • No Thumbnail Available
    Item
    ГЛИБОКІ РІВНІ В P-N-СТРУКТУРАХ
    (ОНАЗ імені О. С. Попова, 2019) Ірха В. І.; Irkha V.; Марколенко П. Ю.; Markolenko P.; Овдій А. В.; Ovdii A.
    Досліджувались глибокі рівні в p-n-структурах на основі твердого розчину GaAsP. Знайдено, що розкид ефективності досліджуваних світлодіодів (СВД) обумовлений різноманітністю складу GaAsP в активній області. Визначено, що ефективність роботи СВД пов’язана з глибокими рівнями, обумовленими різного виду дефектами. Знайдені енергії іонізації ряду глибоких рівнів у збідненому шарі p-n-переходів. Їх існування може привести до збільшення послідовного опору СВД, що в свою чергу призведе до додаткового його розігріву та зниження к.к.д.
  • No Thumbnail Available
    Item
    ФАКТОРИ, ЩО ВИЗНАЧАЮТЬ ЕФЕКТИВНІСТЬ СВІТЛОВИПРОМІНЮЮЧИХ ДІОДІВ
    (ОНАЗ імені О. С. Попова, 2019) Ірха В. І.; Irkha V.; Марколенко П. Ю.; Markolenko P.
    Досліджувались фактори, що визначають ефективність світловипромінюючих діодів. Показано, що вона визначається співвідношенням між інтенсивностями випромінювальної та безвипромінювальної рекомбінації носіїв заряду, яка залежить від зонної структури напівпровідника та концентрації різноманітних домішок у них. Вивчається роль глибоких рівнів в ефективності електролюмінесценції.