Статті

Permanent URI for this collection

Now showing 1 - 1 of 1

ГЛИБОКІ РІВНІ В P-N-СТРУКТУРАХ
(ОНАЗ імені О. С. Попова, 2019) Ірха В. І.; Irkha V.; Марколенко П. Ю.; Markolenko P.; Овдій А. В.; Ovdii A.
Досліджувались глибокі рівні в p-n-структурах на основі твердого розчину GaAsP. Знайдено, що розкид ефективності досліджуваних світлодіодів (СВД) обумовлений різноманітністю складу GaAsP в активній області. Визначено, що ефективність роботи СВД пов’язана з глибокими рівнями, обумовленими різного виду дефектами. Знайдені енергії іонізації ряду глибоких рівнів у збідненому шарі p-n-переходів. Їх існування може привести до збільшення послідовного опору СВД, що в свою чергу призведе до додаткового його розігріву та зниження к.к.д.