Ірха В. І.Irkha V.Марколенко П. Ю.Markolenko P.Овдій А. В.Ovdii A.2025-05-122025-05-122019http://193.186.15.27:4000/handle/123456789/849Ірха В. І., Марколенко П. Ю., Овдій А. В. Глибокі рівні в р-n-структурах // 74-а науково-технічна конференція професорсько-викладацького складу, науковців, аспірантів та студентів (Одеса, 12-14 грудня 2019 р.). Одеса, 2019. Ч.1. С. 12-13Досліджувались глибокі рівні в p-n-структурах на основі твердого розчину GaAsP. Знайдено, що розкид ефективності досліджуваних світлодіодів (СВД) обумовлений різноманітністю складу GaAsP в активній області. Визначено, що ефективність роботи СВД пов’язана з глибокими рівнями, обумовленими різного виду дефектами. Знайдені енергії іонізації ряду глибоких рівнів у збідненому шарі p-n-переходів. Їх існування може привести до збільшення послідовного опору СВД, що в свою чергу призведе до додаткового його розігріву та зниження к.к.д.otherдіодисвітлодіодиp-n-структуриdiodeslight-emitting diodesp-n structuresGaAsPArticle